RUH30150M - описание и поиск аналогов

 

RUH30150M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH30150M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060

Аналог (замена) для RUH30150M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH30150M даташит

 ..1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH30150M

RUH30150M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/150A, RDS (ON) =0.9m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =1.4m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters On board power

 8.1. Size:385K  ruichips
ruh30120m-c.pdfpdf_icon

RUH30150M

RUH30120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =1.6m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =2.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters On board powe

 9.1. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH30150M

RUH30J105M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j85m.pdfpdf_icon

RUH30150M

RUH30J85M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Другие MOSFET... RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , AON6380 , RUH3051M2 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.