STW12NA50 Todos los transistores

 

STW12NA50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW12NA50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW12NA50 datasheet

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STW12NA50

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW12NA50 500 V

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STW12NA50

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STW12NA50 500 V

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STW12NA50

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STW12NA50

STW12NK90Z N-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW12NK90Z 900V

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History: JCS10N70S | IRF3205STRLPBF

 

 

 

 

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