STW12NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW12NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW12NA50 Datasheet (PDF)
stw12na50.pdf
STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V
stw12na50-.pdf
STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTW12NA50 500 V
stw12na60.pdf
DataSheet4U.com DataSheet4U.comDataSheeDataSheet4U.com DataSheet4U.com
stw12nk90z.pdf
STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V
Другие MOSFET... STV60N05 , STV60N05-16 , STV60N06 , STV6NA60 , STV7NA40 , STV7NA60 , STV8NA50 , STW12N60 , 5N50 , STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 .
History: ME7607-G | CEP75N06 | RU60E16R | SM3425NHQA | FTK10N60P
History: ME7607-G | CEP75N06 | RU60E16R | SM3425NHQA | FTK10N60P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855