LPN2010C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPN2010C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19.8 nC
Tiempo de subida (tr): 3.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 194.6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LPN2010C
LPN2010C Datasheet (PDF)
..1. Size:839K cn shenzhen chip hope micro
lpn2010c.pdf
lpn2010c.pdf
LPN2010C Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Description Features LPN2010C use advanced FSMOSTM technology Low RDS(on)&FOM to provide low RDS(on) fast switching Extremely low switching loss low gate chargeand excellent avalanche characteristics. This device is Excellent stability and uniformity specially designed to get better ruggedness and Fast switchin
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
