Справочник MOSFET. LPN2010C

 

LPN2010C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPN2010C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для LPN2010C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPN2010C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:839K  cn shenzhen chip hope micro
 lpn2010c.pdf pdf_icon

LPN2010C

LPN2010C Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Description Features LPN2010C use advanced FSMOSTM technology Low RDS(on)&FOM to provide low RDS(on) fast switching Extremely low switching loss low gate chargeand excellent avalanche characteristics. This device is Excellent stability and uniformity specially designed to get better ruggedness and Fast switchin

Другие MOSFET... RUH3051M2 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , 18N50 , 2N7002KS6 , SR3400 , SR3401 , SRX3134K , D2N65 , D4N65 , F10N65 , F12N65 .

History: IRF9530P | IRFPS38N60L | IRF7755G | SMC3407S | SSF1016A | SST404 | IRFH9310

 

 
Back to Top

 


 
.