LPN2010C - описание и поиск аналогов

 

LPN2010C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LPN2010C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для LPN2010C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPN2010C даташит

 ..1. Size:839K  cn shenzhen chip hope micro
 lpn2010c.pdf pdf_icon

LPN2010C

LPN2010C Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Description Features LPN2010C use advanced FSMOSTM technology Low RDS(on)&FOM to provide low RDS(on) fast switching Extremely low switching loss low gate charge and excellent avalanche characteristics. This device is Excellent stability and uniformity specially designed to get better ruggedness and Fast switchin

Другие MOSFET... RUH3051M2 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , BS170 , 2N7002KS6 , SR3400 , SR3401 , SRX3134K , D2N65 , D4N65 , F10N65 , F12N65 .

History: TK6A80E | 2SK3058-ZJ | TMAN8N80

 

 

 

 

↑ Back to Top
.