2060K. MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2060K.
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de 2060K. MOSFET
2060K. Datasheet (PDF)
nce2060k.pdf
Pb Free ProductNCE2060Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =60A RDS(ON)
Otros transistores... SRX3134K , D2N65 , D4N65 , F10N65 , F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , IRF520 , 2301P , 2302P , 3050K , 3060K , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K .
History: SE4435 | IRF8306MTRPBF | FDP075N15AF102 | SUD08P06-155L | AP9563M | 2SK1776 | ST3407SRG
History: SE4435 | IRF8306MTRPBF | FDP075N15AF102 | SUD08P06-155L | AP9563M | 2SK1776 | ST3407SRG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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