2060K. - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2060K.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для 2060K.
2060K. Datasheet (PDF)
nce2060k.pdf
Pb Free ProductNCE2060Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =60A RDS(ON)
Другие MOSFET... SRX3134K , D2N65 , D4N65 , F10N65 , F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , IRF520 , 2301P , 2302P , 3050K , 3060K , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K .
History: FCPF250N65S3L1 | AP10TN135H | .8205A
History: FCPF250N65S3L1 | AP10TN135H | .8205A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c



