3050K Todos los transistores

 

3050K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3050K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de 3050K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3050K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  cn shenzhen fuman elec
 3050k.pdf pdf_icon

3050K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3050KS&CIC1691 N-Channel Trench Power MOSFETN-C hannel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3050K uses advanced trenc

 0.1. Size:372K  ncepower
 nce3050ka.pdf pdf_icon

3050K

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 0.2. Size:399K  ncepower
 nce3050k.pdf pdf_icon

3050K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

Otros transistores... F10N65 , F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , AON6380 , 3060K , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S .

 

 
Back to Top

 


 
.