3050K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3050K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 145 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3050K
3050K Datasheet (PDF)
3050k.pdf
FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3050KS&CIC1691 N-Channel Trench Power MOSFETN-C hannel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3050K uses advanced trenc
nce3050ka.pdf
Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
nce3050k.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
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History: NCE5055K
