Справочник MOSFET. 3050K

 

3050K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3050K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 3050K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3050K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  cn shenzhen fuman elec
 3050k.pdf pdf_icon

3050K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3050KS&CIC1691 N-Channel Trench Power MOSFETN-C hannel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3050K uses advanced trenc

 0.1. Size:372K  ncepower
 nce3050ka.pdf pdf_icon

3050K

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 0.2. Size:399K  ncepower
 nce3050k.pdf pdf_icon

3050K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

Другие MOSFET... F10N65 , F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , AON6380 , 3060K , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S .

History: SQR40N10-25 | HUFA76419D3S | R6004JNJ | SFG08S10BF | WFF8N65L | IRFS3307Z | HM4410B

 

 
Back to Top

 


 
.