PNM3FD20V1E Todos los transistores

 

PNM3FD20V1E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNM3FD20V1E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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PNM3FD20V1E datasheet

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PNM3FD20V1E

PNM3FD20V1E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R (m ) I (A) DS DS(on) D G(1) 200@ V =4.5V GS D(3) S(2) 20 250@ V =2.5V 1 GS 310@ V =1.8V GS Top View Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

 6.1. Size:225K  prisemi
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PNM3FD20V1E

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