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PNM3FD20V1E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNM3FD20V1E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

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PNM3FD20V1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  prisemi
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PNM3FD20V1E

PNM3FD20V1E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R (m) I (A) DS DS(on) DG(1) 200@ V =4.5V GSD(3) S(2) 20 250@ V =2.5V 1 GS310@ V =1.8V GSTop View Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

 6.1. Size:225K  prisemi
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PNM3FD20V1E

PNM3FD201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary (V) DS(on) DDS R () I (mA) 0.4@ V =4.0V GSDFN1006-3L(Bottom View) 20 0.5@ V =2.5V 300 GS0.7@ V =1.8V GSG G P2 D D S S Circuit Diagram Marking (Top View) Absolute maximum rating@25

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History: ME7114S | STS65R580SS2TR

 

 
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