PNM3FD20V1E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PNM3FD20V1E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для PNM3FD20V1E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PNM3FD20V1E даташит
pnm3fd20v1e.pdf
PNM3FD20V1E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R (m ) I (A) DS DS(on) D G(1) 200@ V =4.5V GS D(3) S(2) 20 250@ V =2.5V 1 GS 310@ V =1.8V GS Top View Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20
Другие MOSFET... 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 , PNM3FD201E0 , IRFZ46N , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU .
History: AOI1N60L | IRF8304M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970