Справочник MOSFET. PNM3FD20V1E

 

PNM3FD20V1E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNM3FD20V1E
   Маркировка: EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L

 Аналог (замена) для PNM3FD20V1E

 

 

PNM3FD20V1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  prisemi
 pnm3fd20v1e.pdf

PNM3FD20V1E PNM3FD20V1E

PNM3FD20V1E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R (m) I (A) DS DS(on) DG(1) 200@ V =4.5V GSD(3) S(2) 20 250@ V =2.5V 1 GS310@ V =1.8V GSTop View Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

 6.1. Size:225K  prisemi
 pnm3fd201e0.pdf

PNM3FD20V1E PNM3FD20V1E

PNM3FD201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary (V) DS(on) DDS R () I (mA) 0.4@ V =4.0V GSDFN1006-3L(Bottom View) 20 0.5@ V =2.5V 300 GS0.7@ V =1.8V GSG G P2 D D S S Circuit Diagram Marking (Top View) Absolute maximum rating@25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top