PNMT8N1 Todos los transistores

 

PNMT8N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMT8N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2X0.75
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PNMT8N1 Datasheet (PDF)

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PNMT8N1

PNMT8N1 Transistor with N-MOSFET Feature Top View This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. C1,7,8,9 G 5 D 4,10 PNMT8N1 is composed by a transistor and a MOSFET Transistor: Very low collector to emitter saturation voltage S E B 6 2 3 DC current gain >100 3A continuous collector current PNP e

Otros transistores... PDNM6ET20V05 , PNM3FD201E0 , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , IRF9640 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 .

History: DCC060M65G2

 

 
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