Справочник MOSFET. PNMT8N1

 

PNMT8N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMT8N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2X0.75
 

 Аналог (замена) для PNMT8N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT8N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  prisemi
 pnmt8n1.pdf pdf_icon

PNMT8N1

PNMT8N1 Transistor with N-MOSFET Feature Top View This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. C1,7,8,9 G 5 D 4,10 PNMT8N1 is composed by a transistor and a MOSFET Transistor: Very low collector to emitter saturation voltage S E B 6 2 3 DC current gain >100 3A continuous collector current PNP e

Другие MOSFET... PDNM6ET20V05 , PNM3FD201E0 , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , IRF9640 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 .

History: HAT2270H | MMBFJ113

 

 
Back to Top

 


 
.