PNMT8N1 - описание и поиск аналогов

 

PNMT8N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMT8N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2X0.75

Аналог (замена) для PNMT8N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT8N1 даташит

 ..1. Size:178K  prisemi
 pnmt8n1.pdf pdf_icon

PNMT8N1

PNMT8N1 Transistor with N-MOSFET Feature Top View This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. C 1,7,8,9 G 5 D 4,10 PNMT8N1 is composed by a transistor and a MOSFET Transistor Very low collector to emitter saturation voltage S E B 6 2 3 DC current gain >100 3A continuous collector current PNP e

Другие MOSFET... PDNM6ET20V05 , PNM3FD201E0 , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , K2611 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 .

History: SM6130NSKP | LBSS260DW1T1G | APQ04SN60CF | BSC030N03MSG | TPCJ1012 | 2SK4047-01S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.