Справочник MOSFET. PNMT8N1

 

PNMT8N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNMT8N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2X0.75

 Аналог (замена) для PNMT8N1

 

 

PNMT8N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  prisemi
 pnmt8n1.pdf

PNMT8N1 PNMT8N1

PNMT8N1 Transistor with N-MOSFET Feature Top View This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. C1,7,8,9 G 5 D 4,10 PNMT8N1 is composed by a transistor and a MOSFET Transistor: Very low collector to emitter saturation voltage S E B 6 2 3 DC current gain >100 3A continuous collector current PNP e

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PMZ250UN

 

 
Back to Top