PJ2301-AU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJ2301-AU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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PJ2301-AU datasheet
pj2301-au.pdf
PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A
pj2301.pdf
PJ2301 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m 0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology 0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1
pj2306.pdf
PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected Unit inch(mm) SOT-23 FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m 0.120(3.04) 0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic
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History: DMP3015LSS | 2SK1301 | SLF80R830GT | D2N65 | DMP3030SN | PNMT6N1 | NTTFS4C05N
History: DMP3015LSS | 2SK1301 | SLF80R830GT | D2N65 | DMP3030SN | PNMT6N1 | NTTFS4C05N
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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