Справочник MOSFET. PJ2301-AU

 

PJ2301-AU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJ2301-AU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.4 nC
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 43 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для PJ2301-AU

 

 

PJ2301-AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  panjit
 pj2301-au.pdf

PJ2301-AU PJ2301-AU

PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A

 8.1. Size:290K  panjit
 pj2301.pdf

PJ2301-AU PJ2301-AU

PJ230120V P-Channel Enhancement Mode MOSFETFEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1

 9.1. Size:214K  panjit
 pj2306.pdf

PJ2301-AU PJ2301-AU

PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedUnitinch(mm)SOT-23FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m0.120(3.04)0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top