Справочник MOSFET. PJ2301-AU

 

PJ2301-AU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJ2301-AU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PJ2301-AU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ2301-AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  panjit
 pj2301-au.pdf pdf_icon

PJ2301-AU

PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A

 8.1. Size:290K  panjit
 pj2301.pdf pdf_icon

PJ2301-AU

PJ230120V P-Channel Enhancement Mode MOSFETFEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1

 9.1. Size:214K  panjit
 pj2306.pdf pdf_icon

PJ2301-AU

PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedUnitinch(mm)SOT-23FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m0.120(3.04)0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic

Другие MOSFET... PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , MMD60R360PRH , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 .

History: FDP020N06BF102 | NX7002AK | 65N06A | P3710BV | SIHF644S | CEK7002A | YJQ4666B

 

 
Back to Top

 


 
.