PJA3416AE Todos los transistores

 

PJA3416AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3416AE
   Código: A6E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de PJA3416AE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PJA3416AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  panjit
 pja3416ae.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3416AE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage 20 V Current 6.5A Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.5A

 7.1. Size:224K  panjit
 pja3416.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.8A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.8A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , HY1906P , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL .

History: STU12N60M2 | 2SK1295 | AJCS160N08I | SSF11NS60UF

 

 
Back to Top

 


 
.