PJA3416AE - описание и поиск аналогов

 

PJA3416AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA3416AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA3416AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3416AE даташит

 ..1. Size:389K  panjit
 pja3416ae.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3416AE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage 20 V Current 6.5A Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.5A

 7.1. Size:224K  panjit
 pja3416.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 5.8A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.8A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3416AE

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , AOD4184A , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL .

History: LPM9033QVF | BMS3003 | KO3415

 

 

 

 

↑ Back to Top
.