PJA3417 Todos los transistores

 

PJA3417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3417
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-59
 

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PJA3417 Datasheet (PDF)

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PJA3417

PPJA3417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SC-59 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A

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PJA3417

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
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PJA3417

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

 8.3. Size:202K  panjit
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PJA3417

PPJA3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

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History: STFI13N65M2 | AP9578GI-HF | SSW60R130S2 | PTA04N100 | IPP16CN10N | QM3058M6 | SUP90N10-8M8P

 

 
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