PJA3417 - аналоги и даташиты транзистора

 

PJA3417 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJA3417
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SC-59
 

 Аналог (замена) для PJA3417

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  panjit
 pja3417.pdf pdf_icon

PJA3417

PPJA3417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SC-59 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3417

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3417

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

 8.3. Size:202K  panjit
 pja3414.pdf pdf_icon

PJA3417

PPJA3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , BS170 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 .

History: LSE65R380GF | 2SK4058-ZK-E2-AY | 2N3384 | IRFIZ44G | H6N70U | 2SK3987-01S | 2SK3579-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.