PJW4N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJW4N06A
Código: W4N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 5.1 nC
Tiempo de subida (tr): 7.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJW4N06A
PJW4N06A Datasheet (PDF)
..1. Size:380K panjit
pjw4n06a.pdf
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PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A
0.1. Size:500K panjit
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PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A
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