PJW4N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJW4N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de PJW4N06A MOSFET
PJW4N06A Datasheet (PDF)
pjw4n06a.pdf
PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A
pjw4n06a-au.pdf
PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A
Otros transistores... PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , IRF540 , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 .
History: SI1400DL | SSM6P15FU | STD100N03LT4 | IXTK120N25P | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2
History: SI1400DL | SSM6P15FU | STD100N03LT4 | IXTK120N25P | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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