PJW4N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJW4N06A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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PJW4N06A datasheet

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PJW4N06A

PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A

 0.1. Size:500K  panjit
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PJW4N06A

PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A

Otros transistores... PJA3439, PJA3441, PJA3460, PJL9418, PJQ1900, PJQ5476AL, PJS6403, PJV1702, IRF540N, PJW4N06A-AU, PJW7N06A, PJX8808, PPJA3401A, PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407