Справочник MOSFET. PJW4N06A

 

PJW4N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJW4N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PJW4N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJW4N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  panjit
pjw4n06a.pdfpdf_icon

PJW4N06A

PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A

 0.1. Size:500K  panjit
pjw4n06a-au.pdfpdf_icon

PJW4N06A

PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A

Другие MOSFET... PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , IRF540 , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 .

History: 3N80L-TN3-R | MCU04N65 | 11NM70G-TF1-T | STS5NF60L | STW52NK25Z | 2SK3684-01SJ | UT100N03G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.