PJW4N06A-AU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJW4N06A-AU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de PJW4N06A-AU MOSFET
PJW4N06A-AU Datasheet (PDF)
pjw4n06a-au.pdf
PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A
pjw4n06a.pdf
PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A
Otros transistores... PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , IRF540N , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 .
History: IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA | AP2852GO | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTY1N80
History: IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA | AP2852GO | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTY1N80
Liste
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