PJW4N06A-AU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJW4N06A-AU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.1 nC
Время нарастания (tr): 7.3 ns
Выходная емкость (Cd): 39 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для PJW4N06A-AU
PJW4N06A-AU Datasheet (PDF)
..1. Size:500K panjit
pjw4n06a-au.pdf
pjw4n06a-au.pdf
PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A
6.1. Size:380K panjit
pjw4n06a.pdf
pjw4n06a.pdf
PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
