PJW4N06A-AU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJW4N06A-AU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для PJW4N06A-AU
PJW4N06A-AU Datasheet (PDF)
..1. Size:500K panjit
pjw4n06a-au.pdf
pjw4n06a-au.pdf
PPJW4N06A-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4 A Voltage Current Features 1 RDS(ON), VGS@10V, ID@3A
6.1. Size:380K panjit
pjw4n06a.pdf
pjw4n06a.pdf
PPJW4N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 4.0 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918