PJW7N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJW7N06A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Encapsulados: SOT-223
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PJW7N06A datasheet
pjw7n06a.pdf
PPJW7N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 6.6 A Voltage Current Features 1 RDS(ON) , VGS@10V, ID@6A
Otros transistores... PJA3460, PJL9418, PJQ1900, PJQ5476AL, PJS6403, PJV1702, PJW4N06A, PJW4N06A-AU, 50N06, PJX8808, PPJA3401A, PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953
History: DHS250N10D | SSF22N50A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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