Справочник MOSFET. PJW7N06A

 

PJW7N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJW7N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PJW7N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJW7N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  panjit
pjw7n06a.pdfpdf_icon

PJW7N06A

PPJW7N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 6.6 A Voltage Current Features 1 RDS(ON) , VGS@10V, ID@6A

Другие MOSFET... PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , 50N06 , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 .

History: SWT20N65D | BSP170P | UT3N10L-K08-3030-R | IXTA42N25P | 10N65AF | IRF2804LPBF | STT600

 

 
Back to Top

 


 
.