PJW7N06A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJW7N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 63 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
PJW7N06A Datasheet (PDF)
..1. Size:355K panjit
pjw7n06a.pdf
pjw7n06a.pdf
PPJW7N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-223 60 V 6.6 A Voltage Current Features 1 RDS(ON) , VGS@10V, ID@6A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
