PPJD50N10AL Todos los transistores

 

PPJD50N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPJD50N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA
 

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PPJD50N10AL Datasheet (PDF)

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PPJD50N10AL

PPJD50N10AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 42 A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A

Otros transistores... PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , IRFP460 , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 .

History: IRF3711ZCLPBF | IRFSL3006 | SI1315DL | P1610AD | VBM1402 | FHU70N03A | SWJ5N70K

 

 
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