PPJD50N10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPJD50N10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252AA

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PPJD50N10AL datasheet

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PPJD50N10AL

PPJD50N10AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 42 A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A

Otros transistores... PJQ5476AL, PJS6403, PJV1702, PJW4N06A, PJW4N06A-AU, PJW7N06A, PJX8808, PPJA3401A, IRF640, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, PTD12N10