PPJD50N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPJD50N10AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
Búsqueda de reemplazo de PPJD50N10AL MOSFET
PPJD50N10AL Datasheet (PDF)
ppjd50n10al.pdf
PPJD50N10AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 42 A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
Otros transistores... PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , IRFZ44 , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 .
History: SSF65R600S2 | NTTFS4928NTAG | AONS36321 | SSF65R360S2E | SLP60R190S2 | UPA1792G | BRD5N65
History: SSF65R600S2 | NTTFS4928NTAG | AONS36321 | SSF65R360S2E | SLP60R190S2 | UPA1792G | BRD5N65
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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