PPJD50N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPJD50N10AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
PPJD50N10AL Datasheet (PDF)
..1. Size:517K panjit
ppjd50n10al.pdf
ppjd50n10al.pdf
PPJD50N10AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 42 A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
Otros transistores... PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , IRFP460 , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
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