PPJD50N10AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PPJD50N10AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для PPJD50N10AL
PPJD50N10AL Datasheet (PDF)
ppjd50n10al.pdf

PPJD50N10AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 42 A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
Другие MOSFET... PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , IRFP460 , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 .
History: FHD540A | NCEA75H25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705