PT4407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4407  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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PT4407 datasheet

 ..1. Size:551K  cn puolop
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PT4407

PT4407 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8 General Features VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)

 9.1. Size:324K  central
 cmpt4401 cmpt4403.pdf pdf_icon

PT4407

CMPT4401 NPN CMPT4403 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and SILICON TRANSISTORS CMPT4403 are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODES CMP

 9.2. Size:13503K  sprague
 tmpt3638 tmpt3638a tmpt3798 tmpt3798a tmpt3905 tmpt3906 tmpt4125 tmpt4126 tmpt4402 tmpt4403.pdf pdf_icon

PT4407

 9.3. Size:15143K  sprague
 tmpt2221a tmpt2222 tmpt2222a tmpt2484 tmpt3903 tmpt3904 tmpt4124 tmpt4401 tmpt5088 tmpt5089 tmpt5550.pdf pdf_icon

PT4407

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