PT4407 Todos los transistores

 

PT4407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT4407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PT4407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  cn puolop
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PT4407

PT440730V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8General Features VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)

 9.1. Size:324K  central
 cmpt4401 cmpt4403.pdf pdf_icon

PT4407

CMPT4401 NPNCMPT4403 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and SILICON TRANSISTORSCMPT4403 are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODES: CMP

 9.2. Size:13503K  sprague
 tmpt3638 tmpt3638a tmpt3798 tmpt3798a tmpt3905 tmpt3906 tmpt4125 tmpt4126 tmpt4402 tmpt4403.pdf pdf_icon

PT4407

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 tmpt2221a tmpt2222 tmpt2222a tmpt2484 tmpt3903 tmpt3904 tmpt4124 tmpt4401 tmpt5088 tmpt5089 tmpt5550.pdf pdf_icon

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History: 65N06 | IPT60R028G7 | RTR030P02FHA | MTP15N06LFI

 

 
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