PT4407 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

PT4407 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: PT4407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PT4407

PT4407 Datasheet (PDF)

..1. Size:551K cn puolop
pt4407.pdf

PT440730V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8General Features VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)

9.1. Size:324K central
cmpt4401 cmpt4403.pdf

CMPT4401 NPNCMPT4403 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and SILICON TRANSISTORSCMPT4403 are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODES: CMP

9.2. Size:13503K sprague
tmpt3638 tmpt3638a tmpt3798 tmpt3798a tmpt3905 tmpt3906 tmpt4125 tmpt4126 tmpt4402 tmpt4403.pdf