Справочник MOSFET. PT4407

 

PT4407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PT4407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PT4407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  cn puolop
pt4407.pdfpdf_icon

PT4407

PT440730V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8General Features VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)

 9.1. Size:324K  central
cmpt4401 cmpt4403.pdfpdf_icon

PT4407

CMPT4401 NPNCMPT4403 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and SILICON TRANSISTORSCMPT4403 are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODES: CMP

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.