PT4407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PT4407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PT4407 Datasheet (PDF)
pt4407.pdf

PT440730V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8General Features VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)
cmpt4401 cmpt4403.pdf

CMPT4401 NPNCMPT4403 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and SILICON TRANSISTORSCMPT4403 are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODES: CMP
tmpt3638 tmpt3638a tmpt3798 tmpt3798a tmpt3905 tmpt3906 tmpt4125 tmpt4126 tmpt4402 tmpt4403.pdf

tmpt2221a tmpt2222 tmpt2222a tmpt2484 tmpt3903 tmpt3904 tmpt4124 tmpt4401 tmpt5088 tmpt5089 tmpt5550.pdf

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a