PT4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT4606
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de PT4606 MOSFET
PT4606 Datasheet (PDF)
pt4606.pdf

PT4606 Complementary High Density Trench MOSFETPRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(on) (m) Max VDSS ID RDS(on) (m) Max6.5A 28 @ VGS= 10V -6A 37 @ VGS= -10V30V -30V5A 41 @ VG 4.5V -5A 57 @ VGS= -4.5VS=D 1 D 2SOP-8S1 1 8 D12G 1 7 D13 6S 2 D24 5G 2 D 2S 1 S 2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise noted)Param
Otros transistores... PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , IRF630 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 .
History: NP82N055NHE | BSO200P03S | TT8K11
History: NP82N055NHE | BSO200P03S | TT8K11



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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