PT4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT4606
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de PT4606 MOSFET
PT4606 Datasheet (PDF)
pt4606.pdf

PT4606 Complementary High Density Trench MOSFETPRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(on) (m) Max VDSS ID RDS(on) (m) Max6.5A 28 @ VGS= 10V -6A 37 @ VGS= -10V30V -30V5A 41 @ VG 4.5V -5A 57 @ VGS= -4.5VS=D 1 D 2SOP-8S1 1 8 D12G 1 7 D13 6S 2 D24 5G 2 D 2S 1 S 2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise noted)Param
Otros transistores... PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , IRF630 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 .
History: VN0808 | PTD3006 | SLF60R080SS | IRHQ6110 | TSM4N60CH | PT9435 | AP4924GM
History: VN0808 | PTD3006 | SLF60R080SS | IRHQ6110 | TSM4N60CH | PT9435 | AP4924GM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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