PT4606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PT4606
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PT4606 Datasheet (PDF)
pt4606.pdf

PT4606 Complementary High Density Trench MOSFETPRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(on) (m) Max VDSS ID RDS(on) (m) Max6.5A 28 @ VGS= 10V -6A 37 @ VGS= -10V30V -30V5A 41 @ VG 4.5V -5A 57 @ VGS= -4.5VS=D 1 D 2SOP-8S1 1 8 D12G 1 7 D13 6S 2 D24 5G 2 D 2S 1 S 2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise noted)Param
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQP1N50 | NCEP065N10GU
History: FQP1N50 | NCEP065N10GU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor