PT4606 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PT4606
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для PT4606
PT4606 Datasheet (PDF)
pt4606.pdf

PT4606 Complementary High Density Trench MOSFETPRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(on) (m) Max VDSS ID RDS(on) (m) Max6.5A 28 @ VGS= 10V -6A 37 @ VGS= -10V30V -30V5A 41 @ VG 4.5V -5A 57 @ VGS= -4.5VS=D 1 D 2SOP-8S1 1 8 D12G 1 7 D13 6S 2 D24 5G 2 D 2S 1 S 2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise noted)Param
Другие MOSFET... PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , IRFP260N , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 .
History: NTTFS3A08PZTAG | VS7N65AF | SSF65R260S2R | AOT66916L | SQM40N15-38 | IPA60R360P7S | RU30S4H
History: NTTFS3A08PZTAG | VS7N65AF | SSF65R260S2R | AOT66916L | SQM40N15-38 | IPA60R360P7S | RU30S4H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor