PT4953 Todos los transistores

 

PT4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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Principales características: PT4953

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PT4953

PT4953 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.5A = 63m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.6A = 90m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A

Otros transistores... PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , IRFP260N , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B .

History: SL12N100 | ZVN4210ASTOA | SD210DE | TSK65R190S2 | SI9955DY | MTP4411M3 | PTD7N65

 

 
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