PT4953 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4953  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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PT4953 datasheet

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PT4953

PT4953 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.5A = 63m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.6A = 90m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A

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