PT4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PT4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для PT4953
PT4953 Datasheet (PDF)
pt4953.pdf

PT4953 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.5A = 63m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.6A = 90m FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D1 D1 D2 D28 7 6 51 2 3 4S1 G1 S2 G2Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max.A
Другие MOSFET... PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , 10N60 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B .
History: GPT18N50DGN220FP | PTD3006 | TSM4N60CH | SLF60R080SS | IRHQ6110 | NCE30P30K | PTD20N06
History: GPT18N50DGN220FP | PTD3006 | TSM4N60CH | SLF60R080SS | IRHQ6110 | NCE30P30K | PTD20N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243