PT4953 - аналоги и даташиты транзистора

 

PT4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PT4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  cn puolop
 pt4953.pdf pdf_icon

PT4953

PT4953 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.5A = 63m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.6A = 90m FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D1 D1 D2 D28 7 6 51 2 3 4S1 G1 S2 G2Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max.A

Другие MOSFET... PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , IRFP260N , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B .

History: BSZ900N20NS3G | SUM110N04-04

 

 
Back to Top

 


 
.