PT8810 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT8810  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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PT8810 datasheet

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PT8810

PT8810 Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The PT8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. TSSOP-8 Features D1/D2 1 8 D1/D2 2 7 S1 S2 VDS (V) = 20V 3 6 S1 S2 ID = 6A (VGS = 10V) 4 5

Otros transistores... PJX8808, PPJA3401A, PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, AO3400, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60