PT8810 Todos los transistores

 

PT8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

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Principales características: PT8810

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PT8810

PT8810 Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The PT8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. TSSOP-8 Features D1/D2 1 8 D1/D2 2 7 S1 S2 VDS (V) = 20V 3 6 S1 S2 ID = 6A (VGS = 10V) 4 5

Otros transistores... PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , AO3400 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 .

History: AP4438CGM | TF2323 | PTP04N04N | SSM3310GH | INK0112AC1

 

 
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