PT8810 - аналоги и даташиты транзистора

 

PT8810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для PT8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  cn puolop
 pt8810.pdf pdf_icon

PT8810

PT8810 Dual N-Channel MOSFETDESCRIPTION The PT8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. TSSOP-8FeaturesD1/D2 1 8 D1/D22 7S1 S2VDS (V) = 20V3 6S1 S2ID = 6A (VGS = 10V)4 5

Другие MOSFET... PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , IRFB4227 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 .

History: FQP50N06 | AP30P10GP-HF | SSF7509B | NVATS5A302PLZ | IRFS641 | FTK1N60D

 

 
Back to Top

 


 
.