PT8810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PT8810  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PT8810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT8810 даташит

 ..1. Size:514K  cn puolop
 pt8810.pdf pdf_icon

PT8810

PT8810 Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The PT8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. TSSOP-8 Features D1/D2 1 8 D1/D2 2 7 S1 S2 VDS (V) = 20V 3 6 S1 S2 ID = 6A (VGS = 10V) 4 5

Другие IGBT... PJX8808, PPJA3401A, PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, AO3400, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60