PT9435 Todos los transistores

 

PT9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PT9435 Datasheet (PDF)

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PT9435

PT9435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 95m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max.A 5.80 6.20 M 0.10 0.25B 4.80 5.00 H 0.31 0

Otros transistores... PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , AON6414A , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 .

History: IRFP460P | FMP13N60E | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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