PT9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT9435
Principales características: PT9435
pt9435.pdf
PT9435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 95m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80 5.00 H 0.31 0
Otros transistores... PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , IRFB4227 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 .
History: MTP5N05 | IPA60R180P7S | PSMN6R4-30MLD
History: MTP5N05 | IPA60R180P7S | PSMN6R4-30MLD
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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