PT9435 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PT9435  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90.96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PT9435

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT9435 даташит

 ..1. Size:1269K  cn puolop
 pt9435.pdf pdf_icon

PT9435

PT9435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 95m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80 5.00 H 0.31 0

Другие IGBT... PPJA3401A, PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, IRFB4227, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06