PTD12N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTD12N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO252

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PTD12N10 datasheet

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PTD12N10

PTD12N10 100V/12A N-Channel Advanced PowerMOSFET Features VDS=100V; ID=12A RDS(ON)

Otros transistores... PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, IRF3710, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02