PTD12N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD12N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD12N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD12N10 даташит

 ..1. Size:2303K  cn puolop
 ptd12n10.pdf pdf_icon

PTD12N10

PTD12N10 100V/12A N-Channel Advanced PowerMOSFET Features VDS=100V; ID=12A RDS(ON)

Другие IGBT... PPJD50N10AL, PPJQ5494, PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, IRF3710, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02