STW60N10 Todos los transistores

 

STW60N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW60N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW60N10 datasheet

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STW60N10

STH60N10/FI STW60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH60N10 100 V

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STW60N10

STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW60NE10 100 V

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STW60N10

STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFET in TO-247, TO-3PF Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STFW60N65M5 1 1 1 710 V

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STW60N10

STW60NM50N N-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STW60NM50N 550 V

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History: JCS10N65C | JCS10N65B

 

 

 

 

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