STW60N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW60N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 270 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW60N10 Datasheet (PDF)
stw60n10.pdf
STH60N10/FISTW60N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH60N10 100 V
stw60ne10.pdf
STW60NE10N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW60NE10 100 V
stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf
STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V
stw60nm50n.pdf
STW60NM50NN-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTW60NM50N 550 V
stw60nm50n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STW60NM50NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.043100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for the most demanding high efficiency converters.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag
Другие MOSFET... STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , IRF740 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918