PTD20N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTD20N06 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Encapsulados: TO252
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PTD20N06 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PTD20N06 datasheet
ptd20n06.pdf
PTD20N06 60 N-Channel Advanced Power MOSFET 0V/20A Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =20A Fast Switching RDS(ON)
Otros transistores... PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, AON6414A, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06
History: IXTQ42N25P | PTA22N60 | AP4024EJB | IXTT110N10L2 | WST3407
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079
