PTD20N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD20N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD20N06 даташит

 ..1. Size:2186K  cn puolop
 ptd20n06.pdf pdf_icon

PTD20N06

PTD20N06 60 N-Channel Advanced Power MOSFET 0V/20A Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =20A Fast Switching RDS(ON)

Другие IGBT... PPJT7600, PT4407, PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, AON6414A, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06