Справочник MOSFET. PTD20N06

 

PTD20N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTD20N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 2.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 60 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PTD20N06

 

 

PTD20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2186K  cn puolop
ptd20n06.pdf

PTD20N06 PTD20N06

PTD20N06 60 N-Channel Advanced Power MOSFET 0V/20A Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =20A Fast Switching RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top