PTD3006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTD3006
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 58 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTD3006
PTD3006 Datasheet (PDF)
ptd3006.pdf
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PTD3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description D PTD3006 designed by the trench process techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design can operate at high junction tem
ptd3004.pdf
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PTD3004 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low RDS(on) @ 5V Logic. BVDSS 30 V 5V Logic Level Control ID 50 A 0 TO-252 SMD Package RDSON@VGS=10V 10 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=5V 13 m Applications High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for S Portable Products, such a
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