PTD3006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD3006  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD3006

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD3006 даташит

 ..1. Size:456K  cn puolop
 ptd3006.pdf pdf_icon

PTD3006

PTD3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description D PTD3006 designed by the trench process techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design can operate at high junction tem

 8.1. Size:509K  cn puolop
 ptd3004.pdf pdf_icon

PTD3006

PTD3004 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low RDS(on) @ 5V Logic. BVDSS 30 V 5V Logic Level Control ID 50 A 0 TO-252 SMD Package RDSON@VGS=10V 10 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=5V 13 m Applications High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for S Portable Products, such a

Другие IGBT... PT4606, PT4953, PT8810, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, 2N7000, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08