PTD4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTD4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTD4N60

PTD4N60 Datasheet (PDF)

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ptd4n60.pdf

PTD4N60 N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C) 3. Source TO-252(D-PAK)213Absolute Maximum RatingsSymbol Par

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Liste

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