PTD4N60 Todos los transistores

 

PTD4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTD4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PTD4N60 Datasheet (PDF)

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PTD4N60

PTD4N60 N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C) 3. Source TO-252(D-PAK)213Absolute Maximum RatingsSymbol Par

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History: NVMFS5C628NL | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | 2SK897-M | 2N6917 | ME4565

 

 
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