PTD4N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD4N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD4N60 даташит

 ..1. Size:474K  cn puolop
 ptd4n60.pdf pdf_icon

PTD4N60

PTD4N60 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) 3. Source TO-252(D-PAK) 2 1 3 Absolute Maximum Ratings Symbol Par

Другие IGBT... PT8810, PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, 8205A, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65