Справочник MOSFET. PTD4N60

 

PTD4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn puolop
 ptd4n60.pdf pdf_icon

PTD4N60

PTD4N60 N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C) 3. Source TO-252(D-PAK)213Absolute Maximum RatingsSymbol Par

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BRCS070N08SRA | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | RU1H130S | WMLL013N08HGS | IRL6283M | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.