PTD4N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

PTD4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTD4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PTD4N60

 

PTD4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn puolop
 ptd4n60.pdf pdf_icon

PTD4N60

PTD4N60 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) 3. Source TO-252(D-PAK) 2 1 3 Absolute Maximum Ratings Symbol Par

Другие MOSFET... PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , 8205A , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 .

History: PTN3006 | SIHG47N60AEF | ZVN3310ASTOB | SIHFZ34 | PTN30P03 | IRF7331 | PTP10HN10

 

 
Back to Top

 


 
.