Справочник MOSFET. PTD4N60

 

PTD4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PTD4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn puolop
 ptd4n60.pdf pdf_icon

PTD4N60

PTD4N60 N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C) 3. Source TO-252(D-PAK)213Absolute Maximum RatingsSymbol Par

Другие MOSFET... PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , 2SK3878 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.