PTD50N06 Todos los transistores

 

PTD50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTD50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PTD50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1316K  cn puolop
 ptd50n06.pdf pdf_icon

PTD50N06

PTD50N06 60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =50A Fast Switching RDS(ON)

 8.1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

PTD50N06

MPTD50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche testedTO-252 RoHS compliantAPPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTD50N60N TO-252 MPTD50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Otros transistores... PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , AON7408 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 .

History: 2N65KL-TMS4-T | IXZH10N50LA | BUZ77B | AONS32314 | MDD4N20YRH | AONS66612T | AP8604CDT

 

 
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