PTD50N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTD50N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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PTD50N06 datasheet

 ..1. Size:1316K  cn puolop
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PTD50N06

PTD50N06 60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =50A Fast Switching RDS(ON)

 8.1. Size:1532K  cn marching-power
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PTD50N06

MPTD50N60N FEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on) 17m (Max)@VGS=10V RDS(on) 20m (Max)@VGS=4.5V 100% avalanche tested TO-252 RoHS compliant APPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive Application Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPTD50N60N TO-252 MPTD50N60N Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

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