PTD50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD50N06 даташит

 ..1. Size:1316K  cn puolop
 ptd50n06.pdf pdf_icon

PTD50N06

PTD50N06 60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =50A Fast Switching RDS(ON)

 8.1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

PTD50N06

MPTD50N60N FEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on) 17m (Max)@VGS=10V RDS(on) 20m (Max)@VGS=4.5V 100% avalanche tested TO-252 RoHS compliant APPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive Application Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPTD50N60N TO-252 MPTD50N60N Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие IGBT... PT9435, PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, 7N65, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50