Справочник MOSFET. PTD50N06

 

PTD50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PTD50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1316K  cn puolop
 ptd50n06.pdf pdf_icon

PTD50N06

PTD50N06 60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features General Features Low On-Resistance VDS =60V,ID =50A Fast Switching RDS(ON)

 8.1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

PTD50N06

MPTD50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche testedTO-252 RoHS compliantAPPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTD50N60N TO-252 MPTD50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие MOSFET... PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , STP75NF75 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 .

History: VBZFB40P03 | 2SJ222 | 2P7154BC

 

 
Back to Top

 


 
.