PTD60N02 Todos los transistores

 

PTD60N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTD60N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PTD60N02 Datasheet (PDF)

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PTD60N02

PTD60N0 2 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET0V NDescription The PTD60N02 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General FeaturesV = 20V I =60 A DS DR

Otros transistores... PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , AON7408 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 .

History: RJK0601DPN-E0 | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | WMN28N65C4 | AP6N1R7CDT

 

 
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