PTD60N02 Todos los transistores

 

PTD60N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTD60N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de PTD60N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTD60N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3024K  cn puolop
 ptd60n02.pdf pdf_icon

PTD60N02

PTD60N0 2 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET0V NDescription The PTD60N02 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General FeaturesV = 20V I =60 A DS DR

Otros transistores... PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , AON7408 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 .

History: NCEP40T12AGU

 

 
Back to Top

 


History: NCEP40T12AGU

PTD60N02   PTD60N02   PTD60N02  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234

 


 
.