PTD60N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTD60N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 17.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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PTD60N02 Datasheet (PDF)

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ptd60n02.pdf

PTD60N0 2 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET0V NDescription The PTD60N02 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General FeaturesV = 20V I =60 A DS DR

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Liste

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